Trắc nghiệm Kiến trúc máy tính Bài 23: BỘ NHỚ BÁN DẪN là một trong những đề thi thuộc Chương 5: HỆ THỐNG NHỚ trong học phần Kiến trúc máy tính chuyên ngành Công Nghệ Thông Tin cấp độ Đại học. Đây là phần mở đầu đóng vai trò nền tảng, giúp sinh viên hiểu được các khái niệm cơ bản cũng như nguyên lý hoạt động của máy tính – từ phần cứng đến cách tổ chức và xử lý dữ liệu bên trong hệ thống.
Trong bài học này, người học cần nắm được các nội dung trọng tâm như: khái niệm kiến trúc máy tính, phân biệt giữa kiến trúc và tổ chức máy tính, nguyên lý hoạt động của hệ thống xử lý trung tâm (CPU), các thành phần chính trong hệ thống máy tính, cũng như những quy tắc cơ bản trong truyền dữ liệu và lưu trữ thông tin. Đây là cơ sở quan trọng để sinh viên tiếp tục nghiên cứu sâu hơn về cấu trúc phần cứng, hiệu năng hệ thống và thiết kế vi xử lý.
Hãy cùng Dethitracnghiem.vn tìm hiểu về đề thi này và tham gia làm kiểm tra ngay lập tức!
Trắc nghiệm Kiến trúc máy tính Bài 23: BỘ NHỚ BÁN DẪN
Câu 1.Bộ nhớ bán dẫn (Semiconductor Memory) là loại bộ nhớ sử dụng công nghệ gì để lưu trữ dữ liệu?
A. Công nghệ từ tính (Magnetic).
B. Công nghệ quang học (Optical).
C. Công nghệ bán dẫn (Transistors, Capacitors).
D. Công nghệ cơ khí (Mechanical).
Câu 2.RAM (Random Access Memory) là loại bộ nhớ bán dẫn có đặc điểm gì về truy cập?
A. Truy cập tuần tự (Sequential Access).
B. Truy cập trực tiếp (Direct Access).
C. Truy cập ngẫu nhiên (Random Access).
D. Chỉ có thể đọc.
Câu 3.Bộ nhớ RAM được sử dụng chủ yếu làm gì trong máy tính?
A. Lưu trữ hệ điều hành vĩnh viễn.
B. Lưu trữ chương trình đang chạy và dữ liệu mà CPU cần truy cập nhanh.
C. Lưu trữ dữ liệu người dùng (tài liệu, hình ảnh) lâu dài.
D. Cung cấp nguồn điện cho CPU.
Câu 4.Phân loại chính của RAM dựa trên công nghệ chế tạo là gì?
A. RAM và ROM.
B. Cache và Main Memory.
C. Non-volatile và Volatile.
D. DRAM (Dynamic RAM) và SRAM (Static RAM).
Câu 5.DRAM (Dynamic RAM) lưu trữ mỗi bit dữ liệu bằng cách nào?
A. Sử dụng nhiều transistor và chốt (latch).
B. Sử dụng một transistor và một tụ điện (capacitor).
C. Sử dụng công nghệ từ tính.
D. Sử dụng công nghệ quang học.
Câu 6.Đặc điểm nào đòi hỏi DRAM phải được “làm tươi” (refresh) định kỳ?
A. Tốc độ truy cập chậm.
B. Tụ điện lưu trữ điện tích (biểu diễn bit) bị rò rỉ dần theo thời gian.
C. Kích thước vật lý lớn.
D. Tiêu thụ ít năng lượng.
Câu 7.SRAM (Static RAM) lưu trữ mỗi bit dữ liệu bằng cách nào?
A. Sử dụng một transistor và một tụ điện.
B. Sử dụng một mạch lật (flip-flop) hoặc chốt (latch), thường bao gồm 4 đến 6 transistor.
C. Bằng cách ghi từ tính lên bề mặt.
D. Bằng cách sử dụng ánh sáng laser.
Câu 8.So với DRAM, SRAM có đặc điểm gì?
A. Rẻ hơn và cần làm tươi.
B. Chậm hơn và dung lượng lớn hơn.
C. Nhanh hơn, đắt hơn và không cần làm tươi.
D. Tiêu thụ nhiều năng lượng hơn khi ở trạng thái chờ.
Câu 9.SRAM thường được sử dụng cho loại bộ nhớ nào trong hệ thống máy tính?
A. Bộ nhớ chính (Main Memory).
B. Bộ nhớ ngoài (Secondary Storage).
C. Bộ nhớ Cache (Cache Memory) và các thanh ghi (Registers).
D. Bộ nhớ chỉ đọc (ROM).
Câu 10.Bộ nhớ ROM (Read-Only Memory) là loại bộ nhớ bán dẫn có đặc điểm gì về truy cập và khả biến?
A. Truy cập ngẫu nhiên, khả biến.
B. Truy cập tuần tự, không khả biến.
C. Truy cập ngẫu nhiên, không khả biến.
D. Chỉ có thể ghi, không thể đọc.
Câu 11.Bộ nhớ ROM thường được sử dụng để lưu trữ loại thông tin nào?
A. Dữ liệu người dùng (tài liệu, ảnh).
B. Chương trình ứng dụng đang chạy.
C. Firmware (như BIOS/UEFI) hoặc các chương trình khởi động cần thiết không bị mất khi tắt nguồn.
D. Dữ liệu tạm thời cho CPU.
Câu 12.Các loại ROM có thể lập trình và xóa được bao gồm:
A. Mask ROM.
B. PROM (Programmable ROM).
C. EPROM (Erasable PROM).
D. EEPROM (Electrically Erasable PROM) và Flash Memory.
E. Cả C và D đều đúng. (EPROM, EEPROM, Flash Memory là các loại ROM có thể xóa/ghi lại).
Câu 13.Sự khác biệt chính giữa EPROM và EEPROM là gì?
A. EPROM khả biến, EEPROM không khả biến.
B. EPROM tốc độ nhanh hơn.
C. EPROM xóa bằng tia cực tím (UV), EEPROM xóa bằng xung điện.
D. EPROM chỉ có thể ghi một lần.
Câu 14.Bộ nhớ Flash (Flash Memory) là một dạng của bộ nhớ nào, nổi bật với khả năng ghi/xóa bằng điện theo từng khối (block) hoặc trang (page)?
A. SRAM.
B. DRAM.
C. PROM.
D. EEPROM (là dạng EEPROM nâng cao).
Câu 15.Bộ nhớ Flash được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị nào?
A. Bộ nhớ chính của PC.
B. Bộ nhớ Cache của CPU.
C. Ổ cứng thể rắn (SSD), USB flash drive, thẻ nhớ (SD card), bộ nhớ trong điện thoại/máy tính bảng.
D. Đĩa cứng truyền thống (HDD).
Câu 16.Khi nói về tổ chức bộ nhớ bán dẫn, “word size” (kích thước từ) là gì?
A. Tổng dung lượng của chip nhớ.
B. Số lượng chân (pins) của chip.
C. Số lượng bit được đọc hoặc ghi cùng lúc vào/từ một địa chỉ nhớ.
D. Kích thước vật lý của chip.
Câu 17.Một chip nhớ có 10 đường địa chỉ (address lines). Chip này có thể địa chỉ hóa tối đa bao nhiêu vị trí nhớ độc lập?
A. 10.
B. 20.
C. 100.
D. \( 2^{10} \) vị trí.
Câu 18.Nếu một chip nhớ có dung lượng 64K x 8 bit, điều đó có nghĩa là gì?
A. Chip có 64000 địa chỉ, mỗi địa chỉ lưu 8 bit.
B. Chip có 64 địa chỉ, mỗi địa chỉ lưu 8K bit.
C. Chip có \( 2^{64} \) địa chỉ, mỗi địa chỉ lưu 8 bit.
D. Chip có \( 64 \times 2^{10} \) địa chỉ (65536 địa chỉ), mỗi địa chỉ lưu 8 bit (1 byte).
Câu 19.Đối với chip nhớ 64K x 8 bit (như câu 18), cần bao nhiêu đường địa chỉ (address lines)?
A. 8.
B. 10.
C. 16.
D. 16 (\( 2^{16} = 65536 = 64K \)).
Câu 20.Tín hiệu điều khiển đọc (Read Control Signal) trên chip nhớ có chức năng gì?
A. Chọn chip nhớ để hoạt động.
B. Đưa địa chỉ vào chip.
C. Kích hoạt quá trình ghi dữ liệu vào chip.
D. Kích hoạt quá trình đọc dữ liệu từ địa chỉ được cung cấp ra các đường dữ liệu.
Câu 21.Tín hiệu Chip Select (CS) hoặc Chip Enable (CE) trên chip nhớ có chức năng gì?
A. Xác định địa chỉ truy cập.
B. Kích hoạt đọc/ghi.
C. Cho phép hoặc vô hiệu hóa hoạt động của chip nhớ đó, hữu ích khi ghép nối nhiều chip.
D. Xác định kích thước từ.
Câu 22.Mạch giải mã địa chỉ (Address Decoder) bên trong chip nhớ có nhiệm vụ gì?
A. Lưu trữ dữ liệu.
B. Thực hiện phép tính.
C. Chọn chip nhớ.
D. Chuyển đổi địa chỉ nhị phân đầu vào thành tín hiệu điều khiển để chọn một dòng (row) hoặc cột (column) cụ thể trong ma trận ô nhớ.
Câu 23.Thời gian truy cập (Access Time) của bộ nhớ là gì?
A. Thời gian để làm tươi DRAM.
B. Thời gian để ghi dữ liệu vào bộ nhớ ngoài.
C. Khoảng thời gian từ khi đưa địa chỉ và tín hiệu điều khiển đến khi dữ liệu hợp lệ xuất hiện ở đầu ra.
D. Tốc độ truyền dữ liệu trên bus.
Câu 24.Chu kỳ bộ nhớ (Memory Cycle Time) là gì?
A. Thời gian để đọc dữ liệu.
B. Thời gian để ghi dữ liệu.
C. Thời gian nhỏ nhất giữa hai lần truy cập bộ nhớ liên tiếp. (Thường bằng thời gian truy cập + thời gian phục hồi/làm tươi).
D. Tần số hoạt động của bộ nhớ.
Câu 25.Loại bộ nhớ bán dẫn nào thường được sử dụng để lưu trữ các hằng số (constants) hoặc bảng tra cứu (lookup tables) trong các hệ thống nhúng đơn giản vì nó không khả biến và chỉ cần đọc?
A. DRAM.
B. SRAM.
C. ROM (hoặc PROM/EPROM tùy yêu cầu).
D. Flash Memory (có thể, nhưng ROM đơn giản hơn nếu chỉ cần đọc).
